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IRFU214	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU214	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR214,SiHFR214) •Straightlead(IRFU214,SiHFU214) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214	文件：169.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A) HEXFET®PowerMOSFET VDSS=250V RDS(on)=2.0Ω ID=2.2A	IRF International Rectifier	IRF
IRFU214	文件：52.94 Kbytes Page：6 Pages	2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheyareadvancedpowerMOSFETsaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFU214	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214	文件：340.15 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU214	文件：853.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214A	文件：308.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU214B	文件：647.48 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU214PBF	文件：2.14295 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET HEXFET®PowerMOSFET •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR214) •StraightLead(IRFU214) •AvailableinTape&Reel •FastSwitching •EaseofParalleling •Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFU214
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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