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IRFU214PBF	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The s 文件：1.74298 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFU214PBF	文件：2.14295 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET HEXFET® Power MOSFET • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Surface Mount (IRFR214) • Straight Lead (IRFU214) • Available in Tape & Reel • Fast Switching • Ease of Paralleling • Lead-Free 文件：2.14295 Mbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU214PBF	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The s 文件：4.26318 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU214PBF.	文件：853.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Surface Mount (IRFR214, SiHFR214) • Straight Lead (IRFU214, SiHFU214) • Available in Tape and Reel • Fast Switching • Ease of Paralleling 文件：853.62 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFU214PBF	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：873.05 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFU214BA3HD	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V-300V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
IRFU214BTU_FP001	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Polarity：
N
VDS(V)：
250
ID(A)：
3
RDS(ON) at Vgs=10V_TYP(mΩ)：
1000
RDS(ON) at Vgs=10V_MAX(mΩ)：
1500
VGS(TH)_Min(V)：
2
VGS(TH)_Max(V)：
4
Qg_Typ(nC)：
8
Ciss_Typ(pF)：
210

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFU214	INFINEON/英飞凌	25+	TO-252	20300	INFINEON/英飞凌原装特价IRFU214即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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