| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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IRTO-251 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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IRTO-251 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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3年
留言
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IRTO-251 |
21350 |
23+ |
原厂原装正品 |
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11年
留言
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IRTO-251 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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5年
留言
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VISHAYTO-251 |
15258 |
25+ |
原装现货库存QQ:373621633 3616872778 |
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4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-251 |
45000 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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12年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251 |
32316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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4年
留言
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INFINEONTO251 |
7850 |
23+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251(IPAK) |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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15年
留言
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INFINEONTO-220 |
60000 |
24+ |
原装现正品可看现货 |
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12年
留言
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IR/INFINEONTO-251 |
5715 |
25+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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7年
留言
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INFINEONTO-251 |
3200 |
1914+ |
全新原装公司现货 |
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13年
留言
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INFINEONTube |
414000 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-251(IPAK) |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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IRN/A |
8000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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15年
留言
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1000 |
25+ |
公司现货库存 |
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15年
留言
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ONSEMIN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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13年
留言
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INFINEONTO-251 |
5000 |
25+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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IRFU220图片
IRFU220BTU_AM002价格
IRFU220BTU_AM002价格：￥1.4469品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的IRFU220BTU_AM002多少钱，想知道IRFU220BTU_AM002价格是多少？参考价：￥1.4469。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFU220BTU_AM002批发价格及采购报价，IRFU220BTU_AM002销售排行榜及行情走势，IRFU220BTU_AM002报价。
IRFU220NPBF资讯
IRFU220NPBF
IRFU220NPBF
IRFU220NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFU220功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220_R4941功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | TO-251AA
IRFU220B制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
IRFU220BTLTU功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220BTU_AM002功能描述:MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220BTU_F080功能描述:MOSFET Trans N-Ch 100V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220BTU_FP001功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU220N功能描述:MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU220NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
