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IRFU13N20DPBF	文件：688.93 Kbytes Page：11 Pages	SMPS MOSFET ( VDSS=200V , RDS(on)max=0.235廓 , ID=13A ) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFU13N20DPBF	文件：4.32081 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFU13N20DPBF	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IIRFR13N20D	文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFR13N20	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR13N20D	文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR13N20D	文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFR13N20D	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR13N20DPBF	文件：4.32081 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR13N20DPBF	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR13N20DPBF	文件：688.93 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.235廓,ID=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR13N20DPBF	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HIGHFREQUENCYDC-DCCONVERTERS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR13N20DTRLP	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR13N20DTRPBF	文件：231.09 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR13N20DTRPBF	文件：1.77733 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRFU13N20D	文件：247.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFU13N20D	文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFU13N20D	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IRFU13N20DPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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