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IRFZ30

IM-Channel 5O VOLT POWER MOSFETs

文件:942.18 Kbytes 页数:3 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

IRFZ30PBF

HEXFET짰 TRANSISTORS

文件:430.81 Kbytes 页数:6 Pages

IRF

IRFZ30

Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

NJS

IRFZ30PBF

HEXFET® TRANSISTORS

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Minimum Operating Temperature:

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation:

    75000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage:

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    50V

  • Maximum Continuous Drain Current:

    30A

  • Configuration:

    Single

  • Channel Type:

    N

  • Channel Mode:

    Enhancement

  • Category:

    Power MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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原厂封装
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多IRFZ30供应商 更新时间2025-10-4 11:03:00