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IRFUC20PBF	文件：1.08756 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFRC20/SiHFRC20) •Str	IRF International Rectifier
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详细参数

型号：
IRFUC20PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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