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IRG4BC20SPBF	文件：195.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SPBF	文件：285.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 19A TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC20SPBF_15	文件：285.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20SPBFXKMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 19A 60W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC20U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20U	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UD	文件：236.9 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC20UDPBF	文件：376.69 Kbytes Page：10 Pages	ULTRAFASTCOPACKIGBT	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4BC20SPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，10A
开关能量：
120µJ（开），2.05mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/540ns
测试条件：
480V，10A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 19A TO220AB

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