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IRFUC20PBF中文资料PDF规格书

IRFUC20PBF
厂商型号

IRFUC20PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

1.08756 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 22:30:00

IRFUC20PBF规格书详情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFRC20/SiHFRC20)

• Straight Lead (IRFUC20/SiHFUC20)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Lead-free

产品属性

  • 型号:

    IRFUC20PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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