IRFU9N20D中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRFU9N20D规格书详情
SMPS MOSFET
Benefits
• Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
• Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
• High frequency DC-DC converters
产品属性
- 型号：
IRFU9N20D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
69 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
06+ |
TO-251 |
1500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
35890 |
询价 | |||
IR |
13+ |
TO-251 |
748 |
询价 | |||
IR |
25+23+ |
TO251 |
73093 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
811 |
询价 | |||
ir |
2023+ |
原厂封装 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
I-PAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 |
