IRFU9N20D说明书PDF资料贸易商无锡固电ISC-114ic电子网

首页 >IRFU9N20D>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRFU9N20D	文件：247.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-251(IPAK) packaging • High speed switching • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Power supply • DC-DC converters • Motor control • Switching applications 文件：247.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU9N20D	文件：3.7302 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：3.7302 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU9N20D	文件：126.79 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A) SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：126.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU9N20DPBF	文件：222.52 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：222.52 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU9N20DPBF	文件：3.8431 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：3.8431 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU9N20D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFU9N20D
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市利加科技有限公司	IRFU9N20D	IR	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRFU9N20D	IR	25+	N/A	692	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRFU9N20D	ir	24+	N/A	6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRFU9N20D	IR	23+	TO-251	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IRFU9N20D	IR	25+23+	TO251	73093	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFU9N20D	IR	20+	TO-251	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	IRFU9N20D	IR	2447	TO-251	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRFU9N20D	INFINEON	25+	TO-251	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	IRFU9N20D	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRFU9N20D	IR	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多IRFU9N20D供应商更新时间2026-1-31 10:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号