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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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上海金庆电子技术有限公司

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深圳市赛美科科技有限公司

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深圳市盈慧通电子有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市信科微科技有限公司

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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IRFW730BTM功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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