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IRFU9N20DPBF	文件：222.52 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：222.52 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU9N20DPBF	文件：3.8431 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：3.8431 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
LM9N20LD	文件：2.2096 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：2.2096 Mbytes 页数：9 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
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LM9N20LF	文件：2.67125 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：2.67125 Mbytes 页数：9 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

详细参数

型号：
IRFU9N20DPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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