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IRFW610B	文件：660.84 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRL610	文件：235.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.046Ω ID=3.3A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):1.185Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRL610A	文件：235.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.046Ω ID=3.3A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):1.185Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRL610A	文件：280.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFZ24N	文件：0 bytes Page：0 Pages	IR TO-247	IRInternational Rectifier Corporation，IRC 国际整流器美国国际整流器公司上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR

详细参数

型号：
IRFW610B
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
200V N-Channel MOSFET

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更多IRFW610B供应商更新时间2025-8-2 10:32:00

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