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IRFZ48NPBF	文件：181.89 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：181.89 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFZ48NPBF	文件：1.35702 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Surface Mount • Available in Tape and Reel • Dynamic dV/dt Rating • Logic-Level Gate Drive • Fast Switching • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.35702 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFZ48NPBF	文件：232.23 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：232.23 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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更多IRFZ48NPBF供应商更新时间2025-10-4 11:01:00