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IRG4PC40UPBF	文件：633.02 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40UPBF	文件：641.98 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40UPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 160W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PC40UPBF_15	文件：641.98 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40W	文件：116.25 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40WPBF	文件：620.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40WPBF	文件：619.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC40UPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，20A
开关能量：
320µJ（开），350µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
34ns/110ns
测试条件：
480V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 40A 160W TO247AC

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