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IRG7PH42UD1-EP	文件：429.8 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH42UD1-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 85A COPAK247	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG7PH42UD1MPBF	文件：276.08 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH42UD1MPBF	文件：276.08 Kbytes Page：9 Pages	1300Vpkrepetitivetransientcapacity	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH42UD1PBF	文件：429.8 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODEFORINDUCTIONHEATINGANDSOFTSWITCHINGAPPLICATIONS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH42UD1PBF	文件：325.37 Kbytes Page：10 Pages	Deviceoptimizedforinductionheatingandsoftswitchingapplications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
IRG7PH42UD1-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
1.21mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/270ns
测试条件：
600V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 85A COPAK247

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