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IRG7PH35UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM ① • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Ultra fast soft recovery co-pak diode • Tight parameter distribution • Lead-Free Benefits • High efficiency in a wide ra 文件：466.59 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
IRG7PH35UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：466.59 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：466.59 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
IRG7PH35UDPBF | Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC | Infineon 英飞凌 | Infineon |
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH35UDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 开关能量：
1.06mJ（开），620µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/160ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-247 |
1189 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
T0-247 |
32360 |
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询价 | ||
ir |
23+ |
NA |
2231 |
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International Rectifier |
2022+ |
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全新原装 货期两周 |
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Infineon |
1931+ |
N/A |
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Infineon(英飞凌) |
2447 |
TO-247-3 |
115000 |
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INFINEON |
25+ |
TO-247 |
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Infineon |
22+ |
NA |
415 |
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IR |
23+ |
T0-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
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