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IRG7PH35UDPBF	文件：466.59 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM① •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Ultrafastsoftrecoveryco-pakdiode •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawidera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRG7PH35UDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG7PH35UDPBF_15	文件：466.59 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH35UD-EP	文件：466.59 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM① •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Ultrafastsoftrecoveryco-pakdiode •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawidera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH35U-EP	文件：379.97 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawiderange	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH35UPBF	文件：379.97 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawiderange	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG7PH35UPBF	文件：379.97 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
IRG7PH35UDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
开关能量：
1.06mJ（开），620µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/160ns
测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC

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