IRG7PH35UDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	IRG7PH35UDPBF
参数属性	IRG7PH35UDPBF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
封装外壳	TO-247-3
文件大小	466.59 Kbytes
页面数量	11 页
生产厂商	IRF
网址	网址
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更新时间	2025-11-11 20:00:00
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特性 Features

• Low VCE (ON) trench IGBT technology

• Low switching losses

• Square RBSOA

• 100 of the parts tested for ILM ①

• Positive VCE (ON) temperature co-efficient

• Ultra fast soft recovery co-pak diode

• Tight parameter distribution

• Lead-Free

Benefits

• High efficiency in a wide range of applications

• Suitable for a wide range of switching frequencies due to

low VCE (ON) and low switching losses

• Rugged transient performance for increased reliability

• Excellent current sharing in parallel operation

Applications

• U.P.S.

• Welding

• Solar Inverter

• Induction Heating

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