首页>IRG7PH35UD1PBF>规格书详情

IRG7PH35UD1PBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

IRG7PH35UD1PBF

参数属性

IRG7PH35UD1PBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 50A 179W TO247

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

封装外壳

TO-247-3

文件大小

406.99 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

IRF

网址

网址

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-11-13 18:40:00

人工找货

IRG7PH35UD1PBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IRG7PH35UD1PBF规格书详情

特性 Features

• Low VCE (ON) trench IGBT Technology

• Low Switching Losses

• Square RBSOA

• Ultra-Low VFDiode

• 1300Vpk Repetitive Transient Capacity

• 100 of the Parts Tested for ILM

• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient

• Tight Parameter Distribution

• Lead Free Package

Benefits

• Device optimized for induction heating and soft switching

applications

• High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses

and Ultra-low VF

• Rugged transient performance for increased reliability

• Excellent current sharing in parallel operation

• Low EMI

产品属性

  • 产品编号:

    IRG7PH35UD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    620µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/160ns

  • 测试条件:

    600V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 179W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
09+
TO-247
1300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
IR
22+
TO-247
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
Infineon/英飞凌
24+
TO-247-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
Infineon/英飞凌
21+
TO-247-3
6820
只做原装,质量保证
询价
INFINEON/英飞凌
2410+
SOP
9000
十年芯路!只做原装!一直起卖!
询价
Infineon/英飞凌
24+
TO-247-3
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
INFINEON/IR
2023+
TO-247
1640
一级代理优势现货,全新正品直营店
询价
Infineon Technologies
22+
TO247AC
9000
原厂渠道,现货配单
询价
IR
24+
TO-247
65200
一级代理/放心采购
询价
Infineon(英飞凌)
2447
TO-247-3
115000
400个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
询价