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IRG7PH35UD1-EP分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG7PH35UD1-EP |
| 参数属性 | IRG7PH35UD1-EP 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 50A 179W TO247 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
406.99 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-4 17:30:00 |
| 人工找货 | IRG7PH35UD1-EP价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG7PH35UD1-EP规格书详情
特性 Features
• Low VCE (ON) trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• Square RBSOA
• Ultra-Low VFDiode
• 1300Vpk Repetitive Transient Capacity
• 100 of the Parts Tested for ILM
• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient
• Tight Parameter Distribution
• Lead Free Package
Benefits
• Device optimized for induction heating and soft switching
applications
• High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses
and Ultra-low VF
• Rugged transient performance for increased reliability
• Excellent current sharing in parallel operation
• Low EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH35UD1-EP
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 开关能量：
620µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/160ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 50A 179W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
10+ |
TO-247 |
2060 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-247 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
2450+ |
TO-247 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
IR |
1052+ |
TO-3P |
456 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
IR |
2223+ |
TO-3P |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
2060 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-3P |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 |
