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IRG7PH35UD1-EP分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG7PH35UD1-EP
厂商型号

IRG7PH35UD1-EP

参数属性

IRG7PH35UD1-EP 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 50A 179W TO247

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

封装外壳

TO-247-3

文件大小

406.99 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 9:52:00

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IRG7PH35UD1-EP规格书详情

Features

• Low VCE (ON) trench IGBT Technology

• Low Switching Losses

• Square RBSOA

• Ultra-Low VFDiode

• 1300Vpk Repetitive Transient Capacity

• 100 of the Parts Tested for ILM

• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient

• Tight Parameter Distribution

• Lead Free Package

Benefits

• Device optimized for induction heating and soft switching

applications

• High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses

and Ultra-low VF

• Rugged transient performance for increased reliability

• Excellent current sharing in parallel operation

• Low EMI

产品属性

  • 产品编号:

    IRG7PH35UD1-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    620µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/160ns

  • 测试条件:

    600V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 179W TO247

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