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IRG7PH35UD1-EP中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IRG7PH35UD1-EP |
| 参数属性 | IRG7PH35UD1-EP 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1200V 50A 179W TO247 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS |
| 文件大小 |
406.99 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-18 18:38:00 |
IRG7PH35UD1-EP规格书详情
Features
• Low VCE (ON) trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• Square RBSOA
• Ultra-Low VFDiode
• 1300Vpk Repetitive Transient Capacity
• 100 of the Parts Tested for ILM
• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient
• Tight Parameter Distribution
• Lead Free Package
Benefits
• Device optimized for induction heating and soft switching
applications
• High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses
and Ultra-low VF
• Rugged transient performance for increased reliability
• Excellent current sharing in parallel operation
• Low EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH35UD1-EP
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 开关能量：
620µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/160ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 50A 179W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1052+ |
TO-3P |
456 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
2022 |
TO-3P |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
IR品牌 |
2016+ |
TO-247 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
10+ |
TO-247 |
2060 |
询价 | |||
IR/INFINEON |
2013+ |
TO-247 |
24 |
全新原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
22+/23+ |
TO-3P |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
TO-3P |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
950 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
