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| 1+ |
- 厂家型号：
IRG7PH35UD1-EP
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
IR
- 库存数量：
70000
- 产品封装：
N/A
- 生产批号：
2024+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-10-28 13:59:00
首页>IRG7PH35UD1-EP>芯片详情
IRG7PH35UD1-EP 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 IR
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
IRG7PH35UD1-EP
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 开关能量：
620µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/160ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 50A 179W TO247
供应商
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