IRG7PH35UD-EP 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
IRG7PH35UD-EP
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON
库存数量：
70000
产品封装：
N/A
生产批号：
2024+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-8-4 13:34:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：IRG7PH35UD-EP品牌：INFINEON

柒号只做原装现货价秒杀全网

IRG7PH35UD-EP是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装N/A/TO-247-3的IRG7PH35UD-EP晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IRG7PH35UD-EP
规格书：
下载下载2
企业简称：
IRF详情
厂商全称：
International Rectifier
内容页数：
11 页
文件大小：
466.59 kb
资料说明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

产品属性

类型
描述
产品编号：
IRG7PH35UD-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
开关能量：
1.06mJ（开），620µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/160ns
测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 50A COPAK247

供应商

企业：
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
连小若
手机：
18922805453
询价：
电话：
0755-83663056
传真：
0755-83209937
地址：
福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IRG7PH35UD-EP 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

IRG7PH35UD-EP

产品属性

供应商

相关型号

相近型号