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IRG7PH30K10PBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IRG7PH30K10PBF

参数属性

IRG7PH30K10PBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 33A 210W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封装外壳

TO-247-3

文件大小

326.49 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-11-13 23:00:00

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IRG7PH30K10PBF规格书详情

特性 Features

• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

• Low Switching Losses

• Maximum Junction Temperature 175 °C

• 10 µS short Circuit SOA

• Square RBSOA

• 100 of the parts tested for ILM

• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient

• Tight Parameter Distribution

• Lead Free Package

Benefits

• High Efficiency in a Wide Range of Applications

• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to

Low VCE (ON) and Low Switching Losses

• Rugged Transient Performance for Increased Reliability

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation

产品属性

  • 产品编号:

    IRG7PH30K10PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,9A

  • 开关能量:

    530µJ(开),380µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    14ns/110ns

  • 测试条件:

    600V,9A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 33A 210W TO247AC

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