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IRG7PH30K10PBF中文资料IRF数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
IRG7PH30K10PBF |
| 参数属性 | IRG7PH30K10PBF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1200V 33A 210W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 文件大小 |
326.49 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-21 11:30:00 |
IRG7PH30K10PBF规格书详情
Features
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• Maximum Junction Temperature 175 °C
• 10 µS short Circuit SOA
• Square RBSOA
• 100 of the parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient
• Tight Parameter Distribution
• Lead Free Package
Benefits
• High Efficiency in a Wide Range of Applications
• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to
Low VCE (ON) and Low Switching Losses
• Rugged Transient Performance for Increased Reliability
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH30K10PBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，9A
- 开关能量：
530µJ（开），380µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/110ns
- 测试条件：
600V，9A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 1200V 33A 210W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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