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IRG7PH28UD1MPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG7PH28UD1MPBF |
| 参数属性 | IRG7PH28UD1MPBF 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 30A 115W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
398.08 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-2 22:58:00 |
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IRG7PH28UD1MPBF规格书详情
特性 Features
● Low VCE (ON) trench IGBT technology
● Low switching losses
● Square RBSOA
● Ultra-low VF diode
● 1300Vpk repetitive transient capacity
● 100 of the parts tested for ILM
● Positive VCE (ON) temperature co-efficient
● Tight parameter distribution
● Lead-free package
Benefits
● Device optimized for induction heating and soft switching
applications
● High efficiency due to low VCE(ON), low switching losses and
ultra-low VF
● Rugged transient performance for increased reliability
● Excellent current sharing in parallel operation
● Low EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH28UD1MPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，15A
- 开关能量：
543µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/229ns
- 测试条件：
600V，15A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO-247 |
4850 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-247AD |
38550 |
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询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-247 |
12000 |
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IR |
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TO-247 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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IR |
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TO-247 |
10000 |
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24+ |
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64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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IR |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO247AD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
