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IRG7PH28UD1MPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE Features ●LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology ●Lowswitchinglosses ●SquareRBSOA ●Ultra-lowVFdiode ●1300Vpkrepetitivetransientcapacity ●100ofthepartstestedforILM ●PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ●Tightparameterdistribution ●Lead-freepackage Benefits ● | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | |
IRG7PH28UD1MPBF | 包装:散装 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 30A 115W TO247AC | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODE Features ●LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology ●Lowswitchinglosses ●SquareRBSOA ●Ultra-lowVFdiode ●1300Vpkrepetitivetransientcapacity ●100ofthepartstestedforILM ●PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient ●Tightparameterdistribution ●Lead-freepackage Benefits ● | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | ||
Lowswitchinglosses | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF |
产品属性
- 产品编号:
IRG7PH28UD1MPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,15A
- 开关能量:
543µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/229ns
- 测试条件:
600V,15A,22 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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INFINEON |
1503+ |
TO-247 |
3000 |
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Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO247AD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO247AD |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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Infineon Technologies |
2022+ |
TO247AD |
6680 |
原厂原装,欢迎咨询 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO247AD |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-247AD |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 |
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