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|---|---|---|---|---|
IRG7PH35UD1MPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE Features • Low VCE (ON) trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Square RBSOA • Ultra-Low VFDiode • 1300Vpk Repetitive Transient Capacity • 100 of the Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits • D 文件：295.88 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | |
IRG7PH35UD1MPBF | Low Switching Losses 文件：295.88 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | |
Low Switching Losses 文件：295.88 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
IRG7PH35UD1MPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IRG7PH35UD1MPBF | Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 50A 179W TO247AD | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH35UD1MPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 开关能量：
620µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/160ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-247 |
3000 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO247AD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
13+ |
TO-247 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-247AD |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
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