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IRGB5B120KD	文件：225.95 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 Package. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. 文件：225.95 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGB5B120KDPBF	文件：283.01 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 Package. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for M 文件：283.01 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGB5B120KDPBF	文件：283.97 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：283.97 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGB5B120KDPBF_15	文件：283.97 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：283.97 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGB5B120KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGB5B120KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 12A 89W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-220
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
6.0A
IC(@25°) max：
12.0A
ICpuls max：
24.0A
Ptot max：
89.0W
VCE(sat) ：
2.75V
Eon ：
0.39mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.33mJ
td(on) ：
22.0ns
tr ：
19.0ns
td(off) ：
100.0ns
tf ：
19.0ns
QGate ：
25.0nC
IF max：
24.0A
VF ：
2.13V
Irrm ：
9.0A
Ets (max)：
0.72mJ (0.88mJ)
VCE max：
1200.0V

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更多IRGB5B120KD供应商更新时间2025-12-5 11:15:00

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