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IRGB5B120KD中文资料1200V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRGB5B120KD

参数属性

IRGB5B120KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 12A 89W TO220AB

功能描述

1200V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package
IGBT 1200V 12A 89W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 13:01:00

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IRGB5B120KD规格书详情

应用 Application

·Fan
·Pump
·Solar
·UPS
·Welding

简介

IRGB5B120KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGB5B120KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGB5B120KD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-220

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@100°) max

    :6.0A

  • IC(@25°) max

    :12.0A

  • ICpuls max

    :24.0A

  • Ptot max

    :89.0W

  • VCE(sat) 

    :2.75V 

  • Eon 

    :0.39mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.33mJ 

  • td(on) 

    :22.0ns 

  • tr 

    :19.0ns 

  • td(off) 

    :100.0ns 

  • tf 

    :19.0ns 

  • QGate 

    :25.0nC 

  • IF max

    :24.0A

  • VF 

    :2.13V 

  • Irrm 

    :9.0A 

  • Ets  (max)

    :0.72mJ (0.88mJ)

  • VCE max

    :1200.0V

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