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IRGB15B60KD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRGB15B60KD |
| 参数属性 | IRGB15B60KD 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 31A 208W TO220AB |
| 功能描述 | 600V 超快 10-30 kHz Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装 |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | IRGB15B60KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGB15B60KD规格书详情
应用 Application
• 家用空调
• 风扇
• 泵
• 太阳能
• 不间断电源（UPS）
• 洗衣机
• 焊接
简介
IRGB15B60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGB15B60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRGB15B60KD
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 5
- Switching Frequency min max
：8.0kHz 30.0kHz
- Package
：TO-220
- Voltage Class max
：600.0V
- IC(@100°) max
：15.0A
- IC(@25°) max
：31.0A
- ICpuls max
：62.0A
- Ptot max
：139.0W
- VCE(sat)
：1.8V
- Eon
：0.355mJ
- Eoff(Hard Switching)
：0.49mJ
- td(on)
：34.0ns
- tr
：16.0ns
- td(off)
：1840.0ns
- tf
：20.0ns
- QGate
：56.0nC
- IF max
：64.0A
- VF
：1.2V
- Irrm
：29.0A
- Ets (max)
：0.56mJ (0.785mJ)
- VCE max
：600.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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