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|---|---|---|---|---|
IRGB15B60KD | ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien 文件：269.09 Kbytes 页数：15 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for 文件：821.1 Kbytes 页数：15 Pages | IRF | IRF | ||
IRGB15B60KD | 600V 超快 10-30 kHz Copack IGBT，采用 TO-220AB 封装 | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 31A 208W TO220AB | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Technology ：
IGBT Gen 5
- Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
- Package ：
TO-220
- Voltage Class max：
600.0V
- IC(@100°) max：
15.0A
- IC(@25°) max：
31.0A
- ICpuls max：
62.0A
- Ptot max：
139.0W
- VCE(sat) ：
1.8V
- Eon ：
0.355mJ
- Eoff(Hard Switching) ：
0.49mJ
- td(on) ：
34.0ns
- tr ：
16.0ns
- td(off) ：
1840.0ns
- tf ：
20.0ns
- QGate ：
56.0nC
- IF max：
64.0A
- VF ：
1.2V
- Irrm ：
29.0A
- Ets (max)：
0.56mJ (0.785mJ)
- VCE max：
600.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
2022+ |
TO-220AB |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
IR |
16+ |
TO-220AB |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
13888 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220AB |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
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