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IRG7PSH54K10DPBF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRG7PSH54K10DPBF |
| 参数属性 | IRG7PSH54K10DPBF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 120A 520W TO274AA |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | IRG7PSH54K10DPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG7PSH54K10DPBF规格书详情
简介
IRG7PSH54K10DPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG7PSH54K10DPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRG7PSH54K10DPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，50A
- 开关能量：
4.8mJ（开），2.8mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
110ns/490ns
- 测试条件：
600V，50A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
SUPER-247™（TO-274AA）
- 描述：
IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
111 |
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询价 | ||
IR |
1738+ |
TO-247 |
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IR |
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30000 |
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IR |
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SUPER-247 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon Technologies |
22+ |
SUPER247 (TO274AA) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
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SUPER-247 |
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Infineon Technologies |
25+ |
TO-247-3 |
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IR |
2022+ |
TO-247 |
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IR |
2447 |
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