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IRG7PH35UD1MPBF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG7PH35UD1MPBF

参数属性

IRG7PH35UD1MPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 50A 179W TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:24:00

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IRG7PH35UD1MPBF规格书详情

简介

IRG7PH35UD1MPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG7PH35UD1MPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IRG7PH35UD1MPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    620µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/160ns

  • 测试条件:

    600V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 179W TO247AD

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