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IRG7PH35UD1MPBF中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRG7PH35UD1MPBF |
| 参数属性 | IRG7PH35UD1MPBF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 50A 179W TO247AD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 16:12:00 |
| 人工找货 | IRG7PH35UD1MPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG7PH35UD1MPBF规格书详情
简介
IRG7PH35UD1MPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG7PH35UD1MPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRG7PH35UD1MPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 开关能量：
620µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/160ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2410+ |
SOP |
9000 |
十年芯路!只做原装!一直起卖! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO247AD |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-247AD |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
10 |
询价 | |||||
INFINEON |
24+ |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3576 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
13+ |
TO-247 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
