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IRG4RC10SD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4RC10SD |
参数属性 | IRG4RC10SD 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 38W DPAK |
功能描述 | 600V DC-1 kHz(标准)Copack IGBT,采用 D-Pak 封装 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 20:00:00 |
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IRG4RC10SD规格书详情
应用 Application
• 照明氙气灯
• PFC
简介
IRG4RC10SD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC10SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRG4RC10SD
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
:1.0kHz 1.0kHz
- Package
:DPAK (TO-252)
- Voltage Class max
:600.0V
- IC(@100°) max
:8.0A
- IC(@25°) max
:14.0A
- ICpuls max
:18.0A
- Ptot max
:38.0W
- VCE(sat)
:1.58V
- Eon
:0.31mJ
- Eoff(Hard Switching)
:3.28mJ
- td(on)
:76.0ns
- tr
:32.0ns
- td(off)
:815.0ns
- tf
:720.0ns
- QGate
:15.0nC
- IF max
:16.0A
- VF
:1.5V
- Qrr
:40.0nC
- Irrm
:2.9A
- Ets (max)
:3.6mJ (10.9mJ)
- Moisture Sensitivity Level
:1
- VCE max
:600.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
53250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
20+ |
SOT252 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
21+ |
SOT252 |
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询价 | ||
IR |
08+ |
TO-252 |
1297 |
询价 | |||
IR |
2016+ |
TO-252 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
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IR |
24+ |
TO-252 |
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IR |
21+ |
TO-252 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
2018880 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |