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IRG4RC10SD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG4RC10SD

参数属性

IRG4RC10SD 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 38W DPAK

功能描述

600V DC-1 kHz(标准)Copack IGBT,采用 D-Pak 封装
IGBT 600V 14A 38W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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IRG4RC10SD规格书详情

应用 Application

• 照明氙气灯
• PFC

简介

IRG4RC10SD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC10SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4RC10SD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :1.0kHz 1.0kHz

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :8.0A

  • IC(@25°) max

    :14.0A

  • ICpuls max

    :18.0A

  • Ptot max

    :38.0W

  • VCE(sat) 

    :1.58V 

  • Eon 

    :0.31mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :3.28mJ 

  • td(on) 

    :76.0ns 

  • tr 

    :32.0ns 

  • td(off) 

    :815.0ns 

  • tf 

    :720.0ns 

  • QGate 

    :15.0nC 

  • IF max

    :16.0A

  • VF 

    :1.5V 

  • Qrr 

    :40.0nC 

  • Irrm 

    :2.9A 

  • Ets  (max)

    :3.6mJ (10.9mJ)

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • VCE max

    :600.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/VISHAY
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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IR
24+
NA/
53250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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IR
20+
DPAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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20+
SOT252
2500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TO-252
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