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IRG4RC10SD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

Features • Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Tight parameter distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-

文件:189.76 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRG4RC10SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Tight parameter distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-

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IRF

IRG4RC10SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4RC10SDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4RC10SD

600V DC-1 kHz(标准)Copack IGBT,采用 D-Pak 封装

Infineon

英飞凌

IRG4RC10SD

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 14A 38W DPAK

Infineon

英飞凌

IRG4RC10SDTRLP

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 14A 38W DPAK

Infineon

英飞凌

IRG4RC10SDTRPBF

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 14A 38W DPAK

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4RC10SD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,8A

  • 开关能量:

    310µJ(开),3.28mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    76ns/815ns

  • 测试条件:

    480V,8A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 38W DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG4RC10SD供应商 更新时间2025-12-24 13:00:00