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IRG4RC10SD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4RC10SD |
| 参数属性 | IRG4RC10SD 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
189.76 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 19:46:00 |
| 人工找货 | IRG4RC10SD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4RC10SD规格书详情
Features
• Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A
• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3
KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4
KHz in brushless DC drives.
• Tight parameter distribution
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use
in bridge configurations
• Industry standard TO-252AA package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies
available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBTs . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
• Lower losses than MOSFETs conduction and
Diode losses
产品属性
- 产品编号：
IRG4RC10SD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
- 开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
- 测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 14A 38W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+23+ |
TO252 |
75908 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
INFINEON/IR |
2023+ |
SOT-252 |
1173 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
501023 |
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IR |
24+ |
D-Pak |
8866 |
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IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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IR |
24+ |
TO-252 |
75000 |
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IR |
24+ |
TO-252 |
80000 |
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IR |
22+ |
SOT252 |
18000 |
原装正品 |
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IR |
2025+ |
TO-252-2 |
5425 |
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IR |
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TO-252 |
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