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IRG4PSH71KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4PSH71KD
厂商型号

IRG4PSH71KD

参数属性

IRG4PSH71KD 封装/外壳为TO-274AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 78A 350W SUPER247

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)

封装外壳

TO-274AA

文件大小

200.03 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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IRG4PSH71KD规格书详情

VCES = 1200V

VCE(on) typ. = 2.97V

@VGE = 15V, IC = 42A

Features

• Hole-less clip/pressure mount package compatible with TO-247 and TO-264, with reinforced pins

• High short circuit rating IGBTs, optimized for motorcontrol

• Minimum switching losses combined with low conduction losses

• Tightest parameter distribution

• IGBT co-packaged with ultrafast soft recovery antiparallel diode

• Creepage distance increased to 5.35mm

• Lead Free

Benefits

• Highest current rating copack IGBT

• Maximum power density, twice the power handling of the TO-247, less space than TO-264

• HEXFRED™ diode optimized for operation with IGBT, to minimize EMI, noise and switching losses

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PSH71KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,42A

  • 开关能量:

    5.68mJ(开),3.23mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    67ns/230ns

  • 测试条件:

    800V,42A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-274AA

  • 供应商器件封装:

    SUPER-247™(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 1200V 78A 350W SUPER247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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