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IRG4PSC71KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4PSC71KD |
| 参数属性 | IRG4PSC71KD 封装/外壳为TO-274AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 85A 350W SUPER247 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A) |
| 封装外壳 | TO-274AA |
| 文件大小 |
196.11 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-12 22:59:00 |
| 人工找货 | IRG4PSC71KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PSC71KD规格书详情
特性 Features
• Hole-less clip/pressure mount package compatible with TO-247 and TO-264, with reinforced pins
• High abort circuit rating IGBTs, optimized for motorcontrol
• Minimum switching losses combined with low conduction losses
• Tightest parameter distribution
• IGBT co-packaged with ultrafast soft recovery antiparallel diode
• Creepage distance increased to 5.35mm
Benefits
• Highest current rating copack IGBT
• Maximum power density, twice the power handling of the TO-247, less space than TO-264
• HEXFREDTM diode optimized for operation with IGBT, to minimize EMI, noise and switching losses
产品属性
- 产品编号：
IRG4PSC71KD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，60A
- 开关能量：
3.95mJ（开），2.33mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
82ns/282ns
- 测试条件：
480V，60A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-274AA
- 供应商器件封装：
SUPER-247™（TO-274AA）
- 描述：
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
19 |
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询价 | ||
INFINEON/IR |
24+ |
NA |
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IR |
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TO 247 |
161517 |
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IR |
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IR |
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INFINEON/IR |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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SUPER-247 |
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