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IRG4PH50KPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4PH50KPBF
厂商型号

IRG4PH50KPBF

参数属性

IRG4PH50KPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封装外壳

TO-247-3

文件大小

327.93 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 20:00:00

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IRG4PH50KPBF规格书详情

Features

• High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10μs, VCC = 720V, TJ = 125°C, VGE = 15V

Combines low conduction losses with high switching speed

• Latest generation design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generations

• Lead-Free

Benefits

• As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM

ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI/Noise

and switching losses in the Diode and IGBT

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density

motor controls possible

• This part replaces the IRGPH50K and IRGPH50M devices

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PH50KPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    1.21mJ(开),2.25mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    36ns/200ns

  • 测试条件:

    960V,24A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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