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IRG4PH50UDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4PH50UDPBF
厂商型号

IRG4PH50UDPBF

参数属性

IRG4PH50UDPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-247-3

文件大小

686.17 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 17:04:00

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IRG4PH50UDPBF规格书详情

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

• UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode

• New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard TO-247AC package

• Lead-Free

Benefits

• Higher switching frequency capability than competitive IGBTs

• Highest efficiency available

• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PH50UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.7V @ 15V,24A

  • 开关能量:

    2.1mJ(开),1.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    47ns/110ns

  • 测试条件:

    800V,24A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

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