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IRG4PSH71UDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4PSH71UDPBF |
| 参数属性 | IRG4PSH71UDPBF 封装/外壳为TO-274AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-274AA |
| 文件大小 |
239.97 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 23:00:00 |
| 人工找货 | IRG4PSH71UDPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PSH71UDPBF规格书详情
Features
• UltraFast switching speed optimized for operating
frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz
in resonant mode soft switching
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency
(minimum switching and conduction losses) than
prior generations
• Industry-benchmark Super-247 package with
higher power handling capability compared to
same footprint TO-247
• Creepage distance increased to 5.35mm
• Lead-Free
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies
available
• Maximum power density, twice the power
handling of the TO-247, less space than TO-264
• IGBTs optimized for specific application conditions
• Cost and space saving in designs that require
multiple, paralleled IGBTs
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG4PSH71UDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，70A
- 开关能量：
8.8mJ（开），9.4mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
46ns/250ns
- 测试条件：
960V，70A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-274AA
- 供应商器件封装：
SUPER-247™（TO-274AA）
- 描述：
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(国际整流器) |
24+ |
NA/ |
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NA |
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INFINEON/英飞凌 |
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NA |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
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IR |
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Infineon Technologies |
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原装 |
8000 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
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