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IRG4PSH71UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • UltraFast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than

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IRG4PSH71UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PSH71UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PSH71UDPBF

Package:TO-274AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PSH71UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,70A

  • 开关能量:

    8.8mJ(开),9.4mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/250ns

  • 测试条件:

    960V,70A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-274AA

  • 供应商器件封装:

    SUPER-247™(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

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更多IRG4PSH71UDPBF供应商 更新时间2026-2-8 19:20:00