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IRGB4060DPBF	文件：290.61 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctiontemperature175°C •5µsSCSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedfor4XRatedCurrent(ILM) •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode •TighterDistri	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGB4060DPBF	文件：299.75 Kbytes Page：11 Pages	Low Switching Losses	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGB4060DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 16A 99W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRGB4060DPBF_15	文件：299.75 Kbytes Page：11 Pages	Low Switching Losses	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
4060	文件：188.97 Kbytes Page：20 Pages	StandaloneLinearNiMH/NiCdFastBatteryCharger DESCRIPTION TheLTC®4060isacompletefastchargingsystemforNiMHorNiCdbatteries.Justafewexternalcomponentsareneededtodesignastandalonelinearchargingsystem. FEATURES ■CompleteFastChargerControllerforSingle,2-,3-or4-SeriesCellNiMH/NiCdBatteries ■NoF	LINEAR 凌特	LINEAR
4060	文件：912.37 Kbytes Page：2 Pages	HalfFacepieceRespirators7500Series,UltimateReusable	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
4060AL	文件：508.15 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=5.0V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
4060B	文件：2.44862 Mbytes Page：6 Pages	DualChannelFunction/ArbitraryWaveformGenerators	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司	BK
4060EFE	文件：188.97 Kbytes Page：20 Pages	StandaloneLinearNiMH/NiCdFastBatteryCharger DESCRIPTION TheLTC®4060isacompletefastchargingsystemforNiMHorNiCdbatteries.Justafewexternalcomponentsareneededtodesignastandalonelinearchargingsystem. FEATURES ■CompleteFastChargerControllerforSingle,2-,3-or4-SeriesCellNiMH/NiCdBatteries ■NoF	LINEAR 凌特	LINEAR
4060FI	文件：144.21 Kbytes Page：4 Pages	ELECTRICFUELPUMP	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.	MALLORY
ACT4060	文件：260.23 Kbytes Page：2 Pages	SAWfilter	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
ACT4060	文件：355.86 Kbytes Page：9 Pages	WideInput2AStepDownConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT4060A	文件：259.329 Kbytes Page：11 Pages	WideInput2AStepDownConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT4060A	文件：257.529 Kbytes Page：12 Pages	WideInput2AStepDownConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT4060ASH	文件：257.529 Kbytes Page：12 Pages	WideInput2AStepDownConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT4060ASH	文件：259.329 Kbytes Page：11 Pages	WideInput2AStepDownConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT4060ASH-T	文件：259.329 Kbytes Page：11 Pages	WideInput2AStepDownConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT4060ASH-T	文件：257.529 Kbytes Page：12 Pages	WideInput2AStepDownConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT4060B	文件：705.52 Kbytes Page：16 Pages	18V/2AStep-DownDC/DCConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ACT4060BSH-T	文件：705.52 Kbytes Page：16 Pages	18V/2AStep-DownDC/DCConverter	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI

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产品属性

产品编号：
IRGB4060DPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，8A
开关能量：
70µJ（开），145µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/95ns
测试条件：
400V，8A，47 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 16A 99W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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