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IRGB4062DPBF	文件：953.88 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low switching losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM ① • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode • Tight parameter 文件：953.88 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGB4062DPBF	文件：421.5 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：421.5 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGB4062DPBF_15	文件：421.5 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：421.5 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGB4062DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon

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