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|---|---|---|---|---|
IRGB4064DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctiontemperature175°C •5µsSCSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode •TighterDistributionofParameter | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | |
IRGB4064DPBF | Low Switching Losses | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | |
IRGB4064DPBF | 包装：卷带（TR） 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 20A 101W TO220AB | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | |
Low Switching Losses | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | ||
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VDSLTransformers | pulse Pulse Electronics | pulse | ||
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VDSLTransformers | pulse Pulse Electronics | pulse | ||
SiliconNPNPowerTransistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ··WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SA1567 ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·ForDCmotordriverandgeneralpurpose | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
5C22AWG(7/30)TCPVC,PVCCOMMUNICATION&CONTROLCABLE | GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司 | GENERAL | ||
LowNoiseJ-FETInputQuadOperationalAmplifier FEATURES InputOffsetVoltage±2mV(TYP.) InputBiasCurrent30pA(TYP.) SlewRate13V/μs(TYP.) UnityGainFrequency3MHz(TYP.) InputReferredNoiseVoltageDensity17nV/Hz(TYP.)(f=1kHz) Built-InPhaseCompensationCircuit Built-InOutputShortCircuitProtection | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MACHINEPINSOCKET | ECE 百容 | ECE | ||
N-Ch40VFastSwitchingMOSFETs Features ⚫AdvancedTrenchMOSTechnology ⚫LowRDS(ON) ⚫100EASGuaranteed ⚫GreenDeviceAvailable Applications ⚫SMPSSynchronousRectification ⚫DC/DCConverters ⚫Or-ing | FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司 東沅科技股份有限公司 | FETEK | ||
16-bitSoundController | GENERALPLUS Generalplus Technology Inc. | GENERALPLUS | ||
16-bitSoundController | GENERALPLUS Generalplus Technology Inc. | GENERALPLUS | ||
5Afour-celllithiumbatterychargemanagementintegratedcircuit | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI |
产品属性
- 产品编号：
IRGB4064DPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.91V @ 15V，10A
- 开关能量：
29µJ（开），200µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/79ns
- 测试条件：
400V，10A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 20A 101W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
08+(pbfree) |
TO-220-3 |
8866 |
询价 | |||
Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 | ||
IR |
1726+ |
TO-220 |
6528 |
只做进口原装正品现货,假一赔十! |
询价 | ||
ir |
dc12 |
原厂封装 |
150 |
INSTOCK:50/tube/to220 |
询价 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IR |
22+23+ |
TO220 |
72715 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
1845+ |
TO220 |
5790 |
只做原装!量大可以订货!特价支持实单! |
询价 | ||
23+ |
N/A |
35900 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
IR |
1746+ |
TO220 |
8862 |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
询价 | ||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 |
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