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IRGIB15B60KD1P

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature Rated at 175°C • Lead-Free Benefits

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IRGIB15B60KD1P

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGIB15B60KD1P_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGIB15B60KD1P

Package:TO-220-3 整包;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 19A 52W TO220FP

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGIB15B60KD1P

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    127µJ(开),334µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/173ns

  • 测试条件:

    400V,15A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 19A 52W TO220FP

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