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IRGIB15B60KD1P	文件：387.02 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C •Lead-Free Benefits	IRF International Rectifier	IRF
IRGIB15B60KD1P	文件：387.99 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGIB15B60KD1P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 19A 52W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGIB15B60KD1P_15	文件：387.99 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGIB15B60KD1	文件：326.28 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=15A ·HighSpeedSwitching ·LowDiodeVF APPLICATIONS ·BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ·IndustrialDrives ·SolarInverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRGIB15B60KD1	文件：287.14 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C Benefits •BenchmarkE	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRGIB15B60KD1P
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
开关能量：
127µJ（开），334µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/173ns
测试条件：
400V，15A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220AB 整包
描述：
IGBT 600V 19A 52W TO220FP

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