首页>IRGIB15B60KD1P>规格书详情
IRGIB15B60KD1P分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGIB15B60KD1P |
| 参数属性 | IRGIB15B60KD1P 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 19A 52W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
387.02 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-24 8:38:00 |
| 人工找货 | IRGIB15B60KD1P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGIB15B60KD1P规格书详情
特性 Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 产品编号：
IRGIB15B60KD1P
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
- 开关能量：
127µJ（开），334µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/173ns
- 测试条件：
400V，15A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 19A 52W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO220F |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO220 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25 |
TO-220 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
标准封装 |
192 |
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 |
