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IRGIB15B60KD1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGIB15B60KD1 |
| 参数属性 | IRGIB15B60KD1 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 19A 52W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
287.14 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-7 15:28:00 |
| 人工找货 | IRGIB15B60KD1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGIB15B60KD1规格书详情
特性 Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 产品编号：
IRGIB15B60KD1P
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
- 开关能量：
127µJ（开），334µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/173ns
- 测试条件：
400V，15A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 19A 52W TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-220 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO220F |
7000 |
询价 | |||
IR(国际整流器) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
TO-220 |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
TO220F |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 |
