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IRGBC40U分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRGBC40U
厂商型号

IRGBC40U

参数属性

IRGBC40U 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A)

封装外壳

TO-220-3

文件大小

244 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:12:00

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IRGBC40U规格书详情

描述 Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.

特性 Features

• Switching-loss rating includes all tail losses

• Optimized for high operating frequency (over 5kHz)

See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

产品属性

  • 产品编号:

    IRGBC40U

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,20A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
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