IRGBC30S分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGBC30S |
| 参数属性 | IRGBC30S 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT STD 600V 34A TO-220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A) |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
252.17 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-5 20:51:00 |
| 人工找货 | IRGBC30S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGBC30S规格书详情
Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.
Features
• Switching-loss rating includes all tail losses
• Optimized for line frequency operation ( to 400 Hz)
See Fig. 1 for Current vs. Frequency Curve
产品属性
- 产品编号：
IRGBC30S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，18A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT STD 600V 34A TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO 220 |
161217 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
8866 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
原厂原装 |
5000 |
全新原装 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
