IRGBC30F分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGBC30F |
| 参数属性 | IRGBC30F 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT FAST 600V 31A TO-220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
246.65 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-30 12:12:00 |
| 人工找货 | IRGBC30F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGBC30F规格书详情
Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-current applications.
Features
• Switching-loss rating includes all tail losses
• Optimized for medium operating frequency ( 1 to
10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve
产品属性
- 产品编号：
IRGBC30F
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，17A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT FAST 600V 31A TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
原厂原装 |
6000 |
全新原装 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
7246 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
IR |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 |
